Tri-gate 3D e 22nm, un piccolo ripasso
Introdotto in commercio con l’architettura Ivy Bridge nell’Aprile 2012, il transistor tri-gate è stato una vera rivoluzione nel campo della microelettronica. Vediamo i dettagli del transistor.
In breve, senza approfondire l’argomento a livello tecnico, dato che è stato già precedentemente affrontato e pubblicato e che per chi volesse lo invitiamo a visitare la precedente recensione di Ivy Bridge qui dove viene affrontato esaustivamente.
Due sono le strade che Intel ha sempre perseguito: una è la miniaturizzazione del Transistor quale componente di base composto essenzialmente dal silicio nel trattare il segnale elettrico ON/OFF.
E’ chiaro che miniaturizzando si ottengono diversi benefici dei quali uno e fondamentale un maggior numero transistor a parità di area d’occupazione, ne consegue quindi una maggiore capacità computazionale totale ad un minor costo dato che il silicio di cui sono fatti i transistor e che si trova abbondantemente in natura ma, che per essere utilizzato ha bisogno di essere purificato attraverso procedimenti laboriosi e costosi. Il secondo aspetto e conseguenza della miniaturizzazione è nello stesso tempo una maggiore velocità di switching con un consumo inferiore di corrente e quindi minor produzione di calore.