Recensione Mushkin REDLINE 2x1gb XP2-8000 4-5-4-11

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Dopo aver testato le ram top gamma di OCZ, e Gskill è arrivato il momento di provare in anteprima le MUSHKIN, con la propria versione di PC8000.

Vediamo come si sono presentate nella loro bellezza una volta aperto il pacco dove erano preziosamente custodite:

Ecco le specifiche:

1000MHz DDR2

CL 4-5-4-11

(CAS-TRCD-TRP-TRAS)

512MB and 1GB module

Unbuffered

Mushkin REDLINE 2x1gb XP2-8000 4-5-4-11

Lifetime Warranty

2.2-2.3 Volts

240 Pin DIMM

Questo kit di ram possiamo considerarlo di alta gamma, quella che nel campo dei kit da 2 Gb va da 400 a oltre 500 €.

Il PCB è un classico Brainpower a 6 strati ULN ormai collaudatissimo e usato da tutti i produttori di ram ad alte prestazioni.

I chip impiegati sono i D9 che garantiscono grandi performance.

Sono garantite dalla casa a 500 MHz (1000 MHz DDR2), con timing già abbastanza spinti (4-5-4-11), ma come vedremo dai test queste ram riescono a superare la barriera dei 1000 MHz DDR2 con timing ben più tirati.

Il dissipatore ha una nuova concezione di dissipazione. Allungato nella parte superiore per incrementare la superficie di scambio del calore, lasciando però alcune fessure per permettere il ricambio d’aria. Tutto questo porta ad avere un ottima dissipazione del calore, infatti anche dopo ore di test a 2.4 v i dissipatori erano appena tiepidi.

Queste ram sulla carta offrono grandi prestazioni, adatte soprattutto ai video-giocatori più incalliti che non vogliono perdersi neanche un frame, oppure agli amanti dei benchmark, sempre alla ricerca di maggiori punteggi al 3d mark, oppure all’ultimo decimo nel s-pi.

CONFIGURAZIONE e TEST:

Intel P4 631 cooled by Zalman 7000-b Cu
Asus P5WD2-E premium 975X
Mushkin REDLINE 2x1gb XP2-8000 4-5-4-11
OCZ 520
ATI X1300
S.O. Windows 2003 server
Software utilizzato: S-pi 1.4 Mod.

I test sono stati fatti a 2 voltaggi differenti 2.20v (per simulare un utilizzo giornaliero) e 2.40 v (per simulare un utilizzo da benchmark e analizzare il comportamento e l’eventuale miglioramento delle ram all’incremento del voltaggio).

Per il s-pi sono stati fatti 2 test: 1 M per testare la stabilità minima, e il 32 M per verificare una stabilità maggiore.

Tra i vari timings che possiamo modificare (in genere accessibili dal sottomenu Advanced Chipset Features del bios della propria scheda madre) sono quattro le sigle che più di frequente vengono ricordate:

* CAS Latency (Tcl): indica il ritardo, in termini di cicli di clock, tra l'inoltro di una richiesta in lettura e l'istante in cui il dato è pronto per l'uscita. A valori inferiori della latenza corrispondono prestazioni velocistiche superiori. Ovviamente, una latenza pari a 3 implica performance differenti se la memoria opera alla frequenza di 166 MHz o 200 MHz oppure, ancora, a quella di 250 MHz.

* RAS to CAS Delay (Trcd): i dati contenuti nei moduli memoria vengono disposti e letti in righe e colonne, partendo sempre prima dalle righe e, in seguito, passando alle colonne. Il Ras to Cas Delay indica il ritardo (delay), in termini di cicli di clock, tra il segnale di RAS e quello di CAS. A valori inferiori corrispondono prestazioni superiori.

* RAS Precharge Time (Trp): tale valore indica l'intervallo di tempo (sempre espresso in cicli di clock) tra un comando RAS e il successivo. In questo intervallo vengono precaricati i condensatori della memoria. L'operazione di precharge si rende indispensabile per la caratteristica peculiare delle DRAM di cui si è discusso in precedenza. Ovviamente, anche in questo caso, a valori inferiori corrispondono prestazioni superiori.

* Cycle Time (Tras): intervallo di tempo (espresso in cicli di clock) necessario per prelevare un dato da una cella di memoria e renderlo disponibile per l'output.

A valori inferiori corrispondono prestazioni superiori.

I timing sempre settati da bios, nei vari grafici sono nel seguente ordine:

CAS-TRCD-TRP-TRAS.

La cpu ha moltiplicatore bloccato, e quindi per verificare la stabilità alle alte frequenze, anziché andare in sincrono, sono stati utilizzati i vari divisori disponibili: 4/5, 3/5, 2/3,1/2.

CONCLUSIONI

Come possiamo vedere dalle varie prove, le memorie reagiscono molto bene all’aumento di voltaggio, con un incremento delle frequenze che varia dal 5 al 10%, sia nel s-pi 1 M che nel 32 M. Non abbiamo rilassato ulteriormente i timing perché comunque oltre i 555 mhz (1110 MHz DDR2) non riuscivamo a entrare in Windows, evidentemente siamo arrivati al limite di queste ram, ma come si può vedere con timing ben più spinti rispetto a quelli garantiti dalla fabbrica. Tra punti di forza di sicuro, ci sono le prestazioni, e il sistema di dissipazione che anche con 2.40 v permetteva di mantenere basse temperature dei chip. Unico neo è forse il prezzo.

Qui trovate la discussione ufficiale sul forum:
http://www.amdclockers.it/component/option,com_smf/Itemid,60/topic,1017.0

Prestazioni